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Datasheet
www.rohm.com
? 2013 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
Schottky Barrier Diode
RB225NS-40
lApplication
lDimensions (Unit : mm)
lLand size figure (Unit : mm)
General rectification
lFeatures
1)
Cathode common dual type.
(LPDS)
2)
Low IR
lStructure
lConstruction
Silicon epitaxial planar
lTaping specifications (Unit : mm)
lAbsolute maximum ratings (Tc= 25°C)
Reverse voltage (repetitive)
VRM
V
Reverse voltage (DC)
VR
V
Average rectified forward current (*1)
Io
A
IFSM
A
Junction temperature
Tj
°C
Storage temperature
Tstg
°C
(*1) 60Hz half sin wave, vesistive load at Tc=70°C. 1/2 Io per diode
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage
VF
-
0.53
0.63
V
IF=15A
Reverse current
IR
-
0.08
0.5
mA
VR=40V
Thermal resistance
Rth(j-c)
-
-
2.00
°C/W
junction to case
Parameter
Conditions
Parameter
Symbol
Limits
Unit
40
40
30
Forward current surge peak (60Hz?1cyc) (*1)
100
150
-40 to +150
lElectrical characteristics (Tj = 25°C)
RB225
NS40
1
ROHM : LPDS
JEITA : TO263S
Manufactuare Year, Week and Day
1
Anode
Anode
Cathode
LPDS
1/5
2013.06 - Rev.B
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